ده برابر شدن ظرفيت حافظه تلفن‌هاي همراه با کمک نانو
اين الگوها ظرفيت حافظه‌ها را در ابزارهاي مختلفي همچون نسل جديد گوشي‌هاي تلفن همراه ده برابر افزايش خواهد داد.
ایسنا: يك پژوهشگر روسي توانست الگوهاي ليتوگرافي به ضخامت تنها 6 نانومتر و با فاصله 14 نانومتر از هم روي سطح ايجاد کند. فاصله 14 نانومتري ميان اين الگوها ظرفيت حافظه‌ها را در ابزارهاي مختلفي همچون نسل جديد گوشي‌هاي تلفن همراه ده برابر افزايش خواهد داد. وديم سيدورکين از يک ميکروسکوپ يون هليون(HIM) براي ايجاد يون‌هاي هليوم بهره برد و با استفاده از اين روش توانست نقاطي به قطر تنها 6 نانومتر بکشد. وي كه مدرک دکتراي خود را از دانشگاه TU Delft دريافت كرده است، ساخت کوچک‌ترين ساختارهاي ممکن را با استفاده از تابش يوني و الکتروني بررسي کرد. در حال حاضر در بخش صنعتي از نور براي ايجاد ساختارهاي بسيار کوچک روي مواد نيمه‌رسانا(مثلاً در توليد تراشه‌هاي رايانه‌اي) استفاده مي‌شود. در ايجاد نانوساختارها نه تنها قطر نقاط و خطوط منفردي که مي‌توان ايجاد کرد مهم است، بلکه فاصله ميان اين نقاط و خطوط نيز از اهميت بالايي برخوردار است. اين امر براي توليد حافظه‌هاي با دانسيته بالاتر در ابزارهايي همچون گوشي‌هاي تلفن همراه ضروري است. فاصله 14 نانومتري که سيدورکين به آن دست يافته است، مي‌تواند ظرفيت اين ابزارها را تا 10 برابر افزايش دهد. اين پژوهشگر روسي براي اين‌که بتواند فاصله ميان الگوها را به کمترين مقدار خود برساند، از يک لاک بسيار نازک سيلسِکوئي اُکسان هيدروژن (HSQ) که توسط محققان دانشگاه Delft به‌طور خاص براي همين منظور توسعه يافته بود، استفاده کرد. سيدورکين عملکرد تابش يون هليوم را با تابش الکتروني مقايسه کرده و دريافت که با استفاده از يون هليوم مي‌توان ساختارهاي نزديک‌تر به هم روي سطح حک كرد. از آن‌جايي که يون‌هاي هليوم سنگين‌تر و بزرگ‌تر از الکترون هستند، مي‌توانند با سرعت کمتري به روي سطح شليک شده و در عين حال همان مقدار انرژي برخوردي را داشته باشند. همچنين اين يون‌ها آسيب کمتري به ماده اطراف وارد مي‌کنند، زيرا در برگشت از سطح فاصله کمتري طي کرده و ميزان نفوذ افقي آن‌ها در خود ساختار ايجاد شده کمتر است. براي ايجاد يک تراشه رايانه‌اي، ابتدا ويفرهاي سيليکوني با لايه نازکي از ماده لاکي که «ماده مقاوم نوري» ناميده مي‌شود، پوشانده مي‌شوند. سپس الگوي مورد نظر با استفاده از يک ليزر، تابش الکتروني يا تابش يوني، روي اين ماده لاکي تابانده مي‌شود. تابش‌هاي يوني و الکتروني نسبت به تابش‌هاي ليزري کندتر هستند، اما قابليت ايجاد الگوهاي کوچک‌تري را روي سطح ماده لاکي دارند. سپس بخش‌هايي از ماده لاکي که در معرض تابش قرار نگرفته است، از سطح جدا شده و فقط ساختار الگوي مورد نظر روي سطح باقي مي‌ماند.